강자성 공명법을 이용하여 300 ^oC에서 열처리한 CoFe/MnIr 재료의 MnIr 두께 t_AF에 따른 회전 이방성 자기장 H_ra와 교환 바이어스 자기장 H_ex를 분석하였다. MnIr의 임계 두께는 t_c = 3.0 nm이었으며, t_AF > t_c 재료는 H_ex 뿐만 아니라 H_ra도 함께 관측되었다. 이는 MnIr 결정립의 크기 분포의 영향으로 t_c 보다 두꺼운 결정립은 AF 스핀을 고정하여 H_ex로 발현되고, t_c 보다 얇은 결정립은 AF 스핀을 회전하여 H_ra로 발현되었다. 그러므로 t_AF> t_c 재료에서 교환 결합 자기장 H_ec = H_ra + H_ex가 t_AF에 따라 일정하게 나타났으며, 교환 결합 에너지는 t_AF에 따라 동일하게 작용함을 알 수 있었다.

We analyzed MnIr thickness dependence of exchange bias fields (H_ex) and rotatable anisotropy fields (H_ra) by the ferromagnetic resonance method in 300 ^oC annealed CoFe/MnIr(t_AF) bilayers. The critical thickness of MnIr was t_c = 3.0 nm, the Hex as well as H_ra was appeared at t_AF > t_c. It was due to the grain size distribution of the MnIr. The H_ex was induced by fixed AF spins of MnIr grains thicker than t_c, while H_ra was induced by rotatable AF spins of MnIr grains thinner than t_c. The exchange coupling field H_ec = H_ra + H_ex did not depend on the MnIr thickness at t_AF >  t_c, therefore, we concluded that the exchange coupling energy did not
depend on the MnIr thickness at t_AF > t_c.