하지층 Cr의 스퍼터링 압력을 달리하여(7~10 mTorr) 제작한 Cr/CoSm/Cr 자성막의 자기상호작용이 자기역전부피에 끼치는 영향을 조사하였다. 연구에 사용된 모든 Cr/CoSm/Cr 자성막의 자기상호작용 기구는 쌍극자 상호작용이었으며, 낮은 스퍼터링 압력에서 제작한 시료일수록 쌍극자 상호작용이 더 강했다. 또한 각 시료의 최대 쌍극자 상호작용이 일어난 자기장(H_ΔM)은 보자력(H_c)보다 컸다. 자기역전부피는 쌍극자 상호작용이 강한 시료일수록 더 컸으며, 각 시료의 자기역전부피는 H_ΔM 영역에서 최대를 보이다가 더 큰 자기장 영역에서는 감소하는 경향을 보였다. 따라서 쌍극자 상호작용의 세기가 역전부피의 증감에 크게 관련되는 것으로 판단된다.

Magnetic interaction effects on the magnetic switching volume for Cr/CoSm/Cr magnetic films deposited with different sputtering pressures (7~10 mTorr) of underlayer (Cr) was investigated. The magnetic interaction mechanism of all the Cr/CoSm/Cr magnetic films investigated in this study was dipole interaction, and the dipole interaction was stronger at the samples fabricated at low sputtering pressure. The magnetic field (H_ΔM) at which the maximum dipole interaction occurred in each sample was larger than the coercivity (H_c). The magnetic switching volume was larger for the sample with stronger dipole interaction, and it showed maximum
value in the H_ΔM region and then decreased in higher field region above the H_ΔM. Therefore, it is considered that the intensity of the dipole interaction is closely related to the magnetic switching volume.