Ar 스퍼터링 압력을 달리하여 제작한 하지층 Cr 위에 두께 30 nm인 CoSm 자성층을 20 mTorr 압력으로 성장시켜 하지층 제작조건이 자기상호작용과 자화역전에 미치는 현상을 규명하였다. 상온에서 측정한 자기이력 곡선, 초기자화 곡선, minor loop 그리고 잔류자화 곡선으로부터 구한 Henkel plot, IFF 그리고 ΔM에 의하면 모든 시료의 자기상호작용은 쌍극자 상호작용이 지배적인 상호작용 기구이고 스퍼터링 압력이 큰 시료일수록 상호작용의 세기가 감소함을 확인하였다. 또한 모든 시료는 자벽고착에 의해 제어되는 자벽운동이 주된 역전 현상임을 알 수 있었다.

The CoSm magnetic layer with a thickness of 30 nm was grown at a pressure of 20 mTorr on the Cr underlayer prepared with different Ar sputtering pressures. The effect of underlayer deposition conditions on magnetic interaction mechanism and magnetization reversal phenomenon was investigated. The Henkel plot, IFF and ΔM obtained from measurement curves showed that the dipole interaction was dominant in all samples, but the strength of the dipole interaction decreased with increasing sputtering pressure. In addition, all samples were found to be the dominant reversal phenomenon of the domain wall motion controlled by the domain wall
pinning.