철(Fe) 도핑되어 덩치(bulk) 형태로 제작된 실리콘 카바이드(SiC) 물질에 대한 전기 비저항(electrical resistivity)을 5~300 K 온도 범위에서 측정하였다. Si_1−xFe_xC(x = 0.02, 0.03, 0.04) 시료들에서는 zincblende 결정구조 및 희박 강자성(diluted ferromagnetism) 이 관측되었다. 시료들의 비저항은 10⁰~10¹ Ωcm 범위에서 온도가 증가함에 따라 감소함을 보였다. 또한, Fe 도핑량이 증가함에 따라 온도 전구간에서 비저항이 감소함이 나타났으며 온도가 낮아질수록 더 큰 폭의 감소가 관측되었다. 이와 같은 실리콘 카바이드 비저항의 온도 특성을 폴라론(polaron) 호핑(hopping) 전도 이론을 토대로 해석하였다.

Electrical resistivity measurements were performed on Fe-doped bulk silicon carbide specimens in the 5~300 K temperature range. The Si_1−xFe_xC(x = 0.02, 0.03, 0.04) specimens have zincblende structure and exhibited diluted ferromagnetic properties. The electrical resistivities of the specimens were in the 10⁰~10¹ Ωcm range, decreasing with increasing temperature. The resistivity decreased with increasing Fe composition in the whole temperature range with more decrease as the temperature is lowered. The temperature characteristics of the resistivity were explained in terms of the polaronic hopping conduction model.