강자성체 CoFe과 2차원 전이금속 디칼코제나이드(two dimensional transition metal dichalcogenide) 물질인 MoS₂로 구성된 스핀 밸브(spin valve) 구조에서 CoFe의 전극 형태와 MoS₂ 경로(channel) 길이에 의한 자기-수송(magneto-transport) 특성을 연구하였다. 전이금속 디칼코제나이드 MoS₂ 박막은 에피택셜하게 성장시킨 MoO₃ 박막을 황화(sulfurization) 반응을 이용하여 합성하였으며 이렇게 제작한 박막의 특성은 박리(exfoliate) 방법을 이용한 MoS₂ 박막의 특성과 정확히 일치하였다. CoFe과 MoS₂로 구성된 스핀 밸브 구조의 자기-수송 특성을 측정해 보았더니 0.16 %의 자기 저항(magnetoresistance)과 0.00012 %의 스핀-분극(spinpolarization)
을 나타내었으며 1차원 스핀 확산 방정식을 사용하여 12 nm의 스핀 확산 길이와 1.44 × 10⁻³ cm²/s의 스핀 확산 계수를 추출하였다.

We have investigated magneto-transport properties in a MoS₂ lateral spin-valve structures for different ferromagnetic CoFe electrode shapes and MoS₂ channel lengths. For these devices, high quality and large-scale MoS₂ thin films were synthesized through sulfurization of epitaxial MoO₃ films and these sulfurized-MoO₃ thin films properties are in good agreements with measurements on exfoliated MoS₂ film. Magneto-transport measurements show a clear rectangular magnetoresistance signal of 0.16% and a spin polarization of 0.00012%. By using the one-dimensional spin diffusion equation, we extracted the spin diffusion length and
coefficient, finding them to be 12 nm and 1.44 × 10⁻³ cm²/s, respectively. These small values of magnetoresistance and spin polarization could be enhanced by appeasement of conductivity mismatch between the ferromagnet and semiconductor interface.